一、设备定义
华林科纳真空酸蚀清洗一体设备是面向半导体、光伏、光电子、精密金属等高端制造领域,集真空腐蚀、酸碱切换、循环过滤、纯水清洗、氮气吹扫、无氧控氧于一体的单槽式湿法表面处理设备,可在全程≤10ppm 无氧环境下完成腐蚀与清洗,从源头杜绝氧化,实现一槽式高效洁净处理。

二、核心参数
整机标准参数
Ø 产品型号:CSE-HLKN26-ZZT010
Ø 外形尺寸:1200mm×1200mm×2000mm
Ø 目标氧含量:≤10ppm
Ø 腐蚀槽真空度:-0.1MPa
Ø 主体材质:5/10 级 PP 板 + PVDF/PTFE
Ø 槽体材质:PVDF/PTFE
Ø 控制方式:触摸屏 + PLC 智能控制
工艺槽核心配置
Ø 核心功能:真空腐蚀、循环过滤、在线加热、产品旋转、药液缓存重复利用、充氮密封、水 / 气喷淋吹扫、溢流
Ø 结构:圆形单槽,酸碱液分装缓存,支持酸碱腐蚀切换
三、设备特点
1. 极致无氧控氧
采用顶部垂直下压氮气层流 + 底部抽排单向气流,智能控氧≤10ppm;槽口气幕持续阻隔污染,氧含量实时检测、语音播报、异常报警,安全互锁。
2. 真空精准腐蚀
0.1MPa 高真空环境,显著提升腐蚀均匀性,解决传统腐蚀不均、表面残留问题。
3. 强防腐高可靠
PVDF/PTFE+PP 复合材质,耐 HF、HCL 等强酸强碱,适配严苛湿法工艺。
4. 智能一体化
单槽集成腐蚀 / 清洗全流程,药液可循环复用;触摸屏操控、故障定位、漏液检测、废气零外泄,满足洁净室与环保要求。
5. 模块化通用
标准尺寸 + 模块化设计,兼容小试、中试、柔性量产,适配多场景切换。

1. 半导体 / 集成电路
硅晶圆制绒清洗、光刻去胶、栅极 / 氧化层刻蚀;SiC/GaN 第三代半导体衬底处理;先进封装 TSV 清洗、IGBT 芯片表面处理。
2. 光伏 / 新能源
晶硅电池片酸碱制绒、磷硅玻璃 / 硼硅玻璃去除;HJT/TOPCon 电极处理;石英舟、坩埚、炉管清洗。
3. 光电子 / 光学
光学玻璃、蓝宝石、光纤刻蚀清洗;Mini/Micro LED、LCD/OLED 面板制程清洗。
4. 精密金属 / 医疗
钛合金骨科植入物、半导体金属部件清洗;铜、铝、钨、钽、铌等易氧化金属处理。
5. 其他高端制造
陶瓷基片、航天军工精密部件的高洁净防氧化酸蚀清洗。
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