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第三代半导体的典型材料
第三代半导体材料是具有宽禁带宽度（Eg≥2.3eV）的材料，它们通常具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和率和更高的抗辐射性，这就是为什么它们被用于制造高温、高频、抗辐射和大功率器件的原因，典型的材料是碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、...
GaAs 晶圆在 5G 中的作用
GaAs晶圆拥有强大的性能特性，使其成为快速发展的技术世界的理想选择，这些半导体正在推动移动通信的未来，所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度，但由于电子移动速度加快，所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。 5G是...