分立器件

Discrete Devices

氧化前清洗 UBM Etch KOH Etch TGV Etch Si Etch

工艺问答

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工艺问答

去胶过程中硫酸和双氧水的配比是多少?

配比:H2SO4:H2O2=3:1 温度:140℃ 流程:1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干

晶圆片污染物主要有哪些?

根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。