湿法解决方案 半导体资材 泛半导体湿法实验室 数据库
晶圆相关内容
当前位置： 网站首页 TAG: 晶圆
晶圆氧化、酸雾泄漏，如何解决?
伴随先进制程持续突破、第三代半导体产业规模化崛起，高防氧化、超高洁净度、强耐腐蚀、全域安全管控，成为泛半导体湿法制造的硬性刚需。长期困扰产线的晶圆氧化变质、腐蚀性酸雾外泄、交叉污染、设备运维成本高、操作流程烦琐等问题，直接拉低良率、限制产能...
为什么晶圆会氧化及解决方案
晶圆作为半导体制造的核心载体，其表面纯度直接决定芯片性能与良率。在生产、研发及转运过程中，晶圆氧化是核心行业痛点——氧化形成的二氧化硅薄膜会导致接触电阻增加、器件漏电，甚至引发批次报废，深入探究氧化原因并找到解决方案，是产业高质量发展的关键...
镀膜前处理：防氧化是关键
在半导体芯片制造中，晶圆镀膜是搭建芯片电路的核心步骤，而镀膜前处理看似是辅助工序，实则是决定镀膜质量与芯片良率的“第一道防线”。核心原因很明确——晶圆极度怕氧化，且表面洁净度直接影响膜层附着力与电性性能，前处理的核心使命就是“防氧化、除杂质...
镓特半导体科技--氮化镓晶圆片项目
镓特半导体自支撑氮化镓研发及产业化项目，是由美国能源部桑迪亚国家实验室李起鸣团队带队，致力于大尺寸、低成本、自支撑氮化镓衬底的研发及产业化成果。目前已成功开发出厚膜应力控制技术、自剥离工艺、激光切割工艺和研磨抛光工艺。初步具备自支撑氮化镓晶...
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话，蚀刻均匀度最好...
InP光子学与硅电子学的集成
摘要光子学与电子学的紧密结合被认为是进一步提高信息传输系统的带宽、速度和能量效率的关键。在这里，我们回顾了一种基于晶圆级聚合物键合的方法，该方法与铸造源高性能磷化铟光子学和BiCMOS电子器件兼容。我们应对电路架构、联合仿真框架和互连技术方...
通过直接晶圆键合评估兆声波清洗技术
就微粒污染而言，不同的微电子工艺需要非常干净的表 面。其中，直接晶片键合在微粒清洁度方面有非常苛刻 的要求。目前的工作描述了单晶片兆频超声波清洗方法的开发、测试和验证，该方法利用换能器设计，满足生 产规模晶片键合和其他极低颗粒应用的极端颗粒...
通过直接晶圆键合评估兆声波清洗技术
我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无源波导的一种有前途的替代物。利用锗有源层的高晶体质量和非晶硅波导的易...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜。然而，SE数据表明...