在常规曝光以后，用氯苯浸泡几分钟，在显影之前做坚膜处理，再略加过显影，使光刻胶图形呈倒角悬垂。这时根据需要进行衬底腐蚀。在此基础上淀积金属膜，用丙酮浸泡去掉光刻胶和多余的金属，完成金属剥离。此项发明使腐蚀衬底和金属剥离完全实现自对准和实现等平面工艺。它将广泛地用于ＭＥＭＳ和集成电路工艺中，使器件工艺简化，降低成本，提高质量。
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