镓特半导体科技--氮化镓晶圆片项目

镓特半导体自支撑氮化镓研发及产业化项目，是由美国能源部桑迪亚国家实验室李起鸣团队带队，致力于大尺寸、低成本、自支撑氮化镓衬底的研发及产业化成果。目前已成功开发出厚膜应力控制技术、自剥离工艺、激光切割工艺和研磨抛光工艺。初步具备自支撑氮化镓晶圆片产业化生产条件。4英寸自支撑氮化镓晶圆片厚度达800μm，位错密度为106 cm-2数量级，翘曲在0.1 mm以下，晶格曲率半径达20 m，半绝缘型氮化镓电阻率超过109Ω·cm，各项技术指标处于世界领先水平。

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