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碳化硅太阳能电池的湿式化学处理
湿法化学工艺广泛用于晶体硅太阳能电池生产，主要用于表面纹理和清洁目的。尽管过去的研究主要集中在过程开发上，但是在过程控制技术方面几乎没有进展。本文讨论了当前最先进的湿化学生产工艺，并提出了工艺控制和质量保证程序(晶片的化学、光学和电学特性)...
碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理
引言碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米或150毫米...
湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点
引言 寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战，因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物惰性，(ii)光稳定，即不发光，iii)不显示发光的间歇性，即不应该有闪烁，(iv)临界直径接近6 nm时小，(v)可大量生产用于生...
碳化硅薄膜的选择性刻蚀
本文讲师了一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。 介绍本文涉及半导...
SiC GaN 通孔工艺
摘要 研究了SiC/GaN通孔刻蚀和通孔环路工艺集成。已经开发了一种新的蚀刻工艺区域，其产生几乎完美光滑的通孔侧壁。最小化通孔蚀刻工艺流程中其他工艺的副作用，以提高通孔质量。 关键词:碳化硅通孔刻蚀，平滑度，通孔侧壁 介绍近年来，对于半导体...
低射频功率 SiC 衬底
关键词:碳化硅通孔蚀刻，支柱 引言研究了电感耦合等离子体刻蚀工艺中线圈射频功率对SiC通孔刻蚀柱形成的影响。据观察，当在反应物中仅使用典型的蚀刻化学物质如SF6时，并且当线圈RF功率降低到一定阈值时，柱密度开始急剧增加。通过适当地修改蚀刻工...
碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀
人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例如与航空航天、汽车和石油工业相关的领域，需要能够在高功率水平、高温、高频和恶劣环境下工作的电子...
碳化硅功率 MOSFET 制造中外延后和炉前清洁的湿法处理
碳化硅MOSFETs进入量产阶段 碳化硅(SiC)功率器件提供更高的开关效率，非常适合高温和中高压应用(1，2)。因此，它们有望在未来十年刺激1000 V以上应用的增长，因为它们能够显著降低辐射(3)。SUNY理工学院的电力电子制造联盟准备...
SiC GaN 通孔工艺
本文研究了SiC/GaN通孔刻蚀和通孔环路工艺集成。已经开发了一种新的蚀刻工艺区域，其产生几乎完美光滑的通孔侧壁。最小化通孔蚀刻工艺流程中其他工艺的副作用，以提高通孔质量。 关键词:碳化硅通孔刻蚀，平滑度，通孔侧壁 介绍近年来，对于半导体工...
低射频功率 SiC 衬底
关键词:碳化硅通孔蚀刻，支柱 引言研究了电感耦合等离子体刻蚀工艺中线圈射频功率对SiC通孔刻蚀柱形成的影响。据观察，当在反应物中仅使用典型的蚀刻化学物质如SF6时，并且当线圈RF功率降低到一定阈值时，柱密度开始急剧增加。通过适当地修改蚀刻工...