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通过直接晶圆键合评估兆声波清洗技术
就微粒污染而言，不同的微电子工艺需要非常干净的表 面。其中，直接晶片键合在微粒清洁度方面有非常苛刻 的要求。目前的工作描述了单晶片兆频超声波清洗方法的开发、测试和验证，该方法利用换能器设计，满足生 产规模晶片键合和其他极低颗粒应用的极端颗粒...
通过直接晶圆键合评估兆声波清洗技术
我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无源波导的一种有前途的替代物。利用锗有源层的高晶体质量和非晶硅波导的易...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然氧化 膜。然而，SE数据表明...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
通过晶圆键合的硅光子学
硅光子学硅是制造几乎所有经典电子集成电路的材料。虽然SOI现在被用于高端电子集成电路的制造，但该材料在光子应用中的应用正在被深入研究。SOI晶片由硅衬底上的掩埋二氧化硅层上的硅层组成。虽然在电子集成电路中，掩埋二氧化硅层的存在改善了晶体管的...
半导体晶圆键合
ABSTRACTWhen mirror-polished, flflat, and clean wafers of almost any material are brought into contact at room temperatu...
MEMS 器件的金属晶圆键合
AbstractMetal fifilms can be used as bonding layers at wafer-level in MEMS manufacturing processes for device assembly a...
通过原子氢表面清洁实现GaAs晶圆键合
A method of large-area wafer bonding of GaAs is proposed. The bonding procedure was carried outin an ultrahigh vacuum. T...
使用晶圆键合机的晶圆级芯片规模封装
ABSTRACTAn in-house processing capability is developed in this research for silicon-glass bonding for microfabrication a...