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SC-2的处理晶圆清洗工艺
生长亲水氧化层的硅晶片的预处理工艺包括使晶片与预清洗SC-1浴接触的初始步骤，从而产生高度无颗粒的硅晶片表面。在去离子水冲洗之后，用含水的含有氢氟酸和盐酸的溶液，用于去除晶片表面的含金属氧化物。为了生长亲水氧化层，使用SC-2浴(含有过氧化...
华东光电集成器件研究所晶圆级自动光学检测仪招标项目国际招标公告
招标项目名称:华东光电集成器件研究所晶圆级自动光学检测仪招标项目招标产品列表(主要设备): 晶圆级自动光学检测仪 1台招标文件领购开始时间:2023-01-05招标文件领购结束时间:2023-01-12投标截止时间（开标时间）:2023-0...
超薄半导体晶圆应用及工艺
集成电路功能的持续发展现在以整个系统中所有电子元件的集成为目标。这项研究基于许多不同的半导体工艺。这些过程中的每一个在功能方面都有不同的属性，例如速度、功率等。有三个因素集中在更薄的晶圆上:对芯片卡和射频识别的低封装高度的需求，对更高功率的...
通过晶圆键合的硅光子学
硅光子学硅是制造几乎所有经典电子集成电路的材料。虽然SOI现在被用于高端电子集成电路的制造，但该材料在光子应用中的应用正在被深入研究。SOI晶片由硅衬底上的掩埋二氧化硅层上的硅层组成。虽然在电子集成电路中，掩埋二氧化硅层的存在改善了晶体管的...
自动晶圆混合键合系统采购项目（第二次重新招标）国际招标公告
招标项目名称:自动晶圆混合键合系统采购项目（第二次重新招标）招标产品列表(主要设备): 自动晶圆混合键合系统 1套招标文件领购开始时间:2023-01-06招标文件领购结束时间:2023-01-13投标截止时间（开标时间）:2023-02-...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放孔，...
通过光刻和蚀刻工艺控制晶圆CD均匀性
在先进的工艺控制中，使用R2R控制已经很好地解决了批次与批次之间以及晶圆与晶圆之间的工艺差异，然而，为了解决在65纳米技术节点及以后不断增加的管芯与管芯之间(即跨晶圆)的工艺差异，工艺控制必须扩展到更精细的领域:跨晶圆级。提出了一种新的基于...
GaAs 晶圆在 5G 中的作用
GaAs晶圆拥有强大的性能特性，使其成为快速发展的技术世界的理想选择，这些半导体正在推动移动通信的未来，所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度，但由于电子移动速度加快，所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。 5G是...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放孔，...
晶圆的湿法蚀刻法和清洁度
本文介绍了在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比，各向异性较好，对于形成细微的布线是有利的。湿法蚀刻是对膜进行各向同性蚀刻，...