湿法解决方案 半导体资材 泛半导体湿法实验室 数据库
晶圆相关内容
当前位置： 网站首页 TAG: 晶圆
半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁
关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样的坏影响。作为半导体器件制造中的...
晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度...
晶圆键合单晶硅槽波导和环形谐振器
我们通过键合薄的绝缘体上硅晶片来制造具有25纳米二氧化硅槽层的水平硅槽波导。在从键合结构的一侧去除硅衬底和掩埋氧化物之后，光栅耦合波导和环形谐振器被部分蚀刻到硅/二氧化硅/硅器件层中。光栅在1550纳米处显示出高达23%的效率，并且环形谐振...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
晶圆表面处理和预清洁动态
介绍半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻，酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必不可少的。已知多种蚀刻剂可有效去除天然GaAs氧化物。然而，对于在...
CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
摘要本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放...
使用IPA溶液去除晶圆上静电荷
引言由于图案密度和晶圆直径的增加，对于非常精细的图案ULSI器件高度坚固的表面进行完整的清洗、清洗和干燥是极其困难的。IPA蒸汽干燥是半导体制造中广泛应用的一种干燥方法。由于IPA具有低表面张力和对水的高溶解度，它适合于IPA蒸汽工艺以完美...
通过光刻和蚀刻工艺控制晶圆CD均匀性
在先进的工艺控制中，使用R2R控制已经很好地解决了批次与批次之间以及晶圆与晶圆之间的工艺差异，然而，为了解决在65纳米技术节点及以后不断增加的管芯与管芯之间(即跨晶圆)的工艺差异，工艺控制必须扩展到更精细的领域:跨晶圆级。提出了一种新的基于...
通过光刻和蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性
跨晶圆栅极临界尺寸(CD)的一致性会影响芯片与芯片之间在速度和功耗方面的性能差异。随着线宽减小到90 nm及以下，跨晶片CD均匀性的性能规格变得越来越严格。本文提出了一种新的方法，通过光刻和刻蚀工艺顺序来提高跨晶片栅极CD的均匀性。所提出的...