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基于GaN电荷注入层封装的半导体纳米晶体的多色发光二极管
摘要包括固态照明、显示器和交通信号在内的众多技术都可以受益于高效、颜色可选的电力驱动光源。半导体纳米晶体是具有吸引力的发色团类型，它结合了尺寸可控的发射颜色和高发射效率以及优异的光稳定性和化学灵活性。然而，纳米晶体在发光技术中的应用受到实现...
碱金属掺杂Zno薄膜在有机发光二极管中的应用
引言有机发光二极管(OLEDs)作为节能照明和大面积柔性显示器的一种有前途的技术已经被广泛研究。通常，有两种主要用于有机发光二极管的器件结构，即常规结构和倒置结构。与传统结构相比，使用空气稳定金属作为顶部阳极和氧化锢锡(IT0)作为阴极的倒...
选择性湿蚀刻法提高GaN基发光二极管的可靠性
基于氮化镓(GaN)的半导体已经被广泛研究，因为它们在光电应用中具有潜力，例如在蓝色和紫外波长区域工作的发光二极管。为了提高氮化镓基发光二极管的可靠性，研究了在乙二醇溶液中，用氢氧化钾+氢氧化钠对氮化镓基发光二极管中的p-氮化镓表面进行选择...
有机发光二极管基板上制作微透镜光子晶体的研究
我们用纳米压印技术在有机发光二极管基底上制作了可转移微透镜结构。结果，降低了每个有机层上的波导效应，这可以促进衬底的光学耦合，并且有望提高发光效率，并且最终可以制造具有高亮度的器件。首先，结合紫外曝光和湿法刻蚀技术，用石英玻璃制作高精度纳米...
侧壁取向在GaN基紫外发光二极管湿法化学蚀刻中的作用
引言我们证明了四甲基氢氧化铵溶液对不同取向的芯片侧壁具有不同的刻蚀能力，因为芯片侧壁的取向决定了氮化镓(GaN)暴露的晶面，这些晶面对四甲基氢氧化铵溶液具有不同的化学稳定性。TMAH刻蚀处理后，在暴露m面氮化镓的侧壁上观察到三棱镜。对于所研...
高效湿处理磷光有机发光二极管
I. INTRODUCTION Phosphorescent organic light emitting diodes (OLEDs) have drawn considerable attention because of thei...
用化学湿蚀工艺对氮化镓基板上发光二极管的研究
Abstract—The InGaN-based light-emitting diodes (LEDs) with a roughened backside on the N-face surface of GaN substrate w...
基于GaN电荷注入层封装的半导体纳米晶体的多色发光二极管
Numerous technologies including solid-state lighting, displays, and traffic signals can benefit from efficient, color-se...
GaN基发光二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管的单片集成
In this study, we report a novel monolithically integrated GaNbased light-emitting diode (LED) with metal-oxide-semicond...
量子点发光二极管：结构、机理和制备
Quantum dot light-emitting diode (QLED) attracted much attention for the next generation of display due to its advantag...