Pre-diffusion Clean

半导体制造过程中会进行多次预扩散清洗,每次都要尽可能彻底地去除晶圆上的化学残留物和颗粒。如果硅片在放入扩散炉时表面仍有污染,扩散可能不均匀,最终的半导体产品可能有缺陷。从历史上看,预扩散清洁严格指的是在扩散过程之前立即执行的过程。最近,预扩散清洁一般指的是炉子操作之前的任何过程。在任何一种情况下,都必须最大限度地减少颗粒和金属污染并优化蚀刻均匀性,同时保持高吞吐量。

工艺问答

去胶过程中硫酸和双氧水的配比是多少?

配比:H2SO4:H2O2=3:1 温度:140℃ 流程:1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干

晶圆片污染物主要有哪些?

根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。

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