抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低，目前常用的 CMP后清洗的方法有泡、喷淋擦洗、超声波、兆声波等。其中浸泡、喷淋大多作为中间过程，不是单独的洗方法。擦洗是一种应用广泛、高效的接触式清洗方式，是刷子和工件表面持续接触的介于边界到弹流润滑的摩擦学过程，通过刷子与 Si 片表面的接触力结合液力的拖曳力作用，去除 Si 片抛光过程中渗入的颗粒。
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