UBM Etch

图案化金属蚀刻用于晶圆级封装应用中的凸块下金属化 (UBM),以及电镀和光刻胶剥离处理后的特征隔离。UBM湿法蚀刻的主要考虑因素是晶圆间均匀性、可重复性、底切或临界尺寸 (CD) 损失、拥有成本和吞吐量。在UBM蚀刻制程中,根据不同的UBM金属层种类和厚度、蚀刻液之化学特性、凸块图案、灵活性地搭配不同的蚀刻方式,以达到最佳之蚀刻均匀性。

工艺问答

去胶过程中硫酸和双氧水的配比是多少?

配比:H2SO4:H2O2=3:1 温度:140℃ 流程:1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干

晶圆片污染物主要有哪些?

根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。

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