Si Etch

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中,一项最重要的工艺是蚀刻(Etch)——即,在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻(Etch)工程的成功取决于在设定的分布范围内对各种变量进行管理,并且每一台刻蚀设备都需做好在最佳条件下运行的准备。我们的刻蚀工艺工程师运用精湛的制造技术,完成这一细节工艺的处理。

如果沉积或光刻(Photolithography)工程中出现问题,可通过选择性蚀刻(Etch)技术解决问题。但是,如果蚀刻(Etch)工程过程中出现问题,则情况无法逆转。这是因为无法在雕刻区域填充相同材料。因此,在半导体制造过程中,刻蚀对于确定总体良品率和产品质量至关重要。

工艺问答

去胶过程中硫酸和双氧水的配比是多少?

配比:H2SO4:H2O2=3:1 温度:140℃ 流程:1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干

晶圆片污染物主要有哪些?

根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。

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